Номер детали производителя : | HS3K M6 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS3K M6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS3K M6 |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS3K M6.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz |
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R